C-31型 双面国产光刻机主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。由于本机找平机构先进，找平力小、使本机适合硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片等的曝光。有三种版夹盘供选择，能真空吸附5“×5“或4“×4“方形掩版（2.5“×2.5“），版的厚度无特殊要求1.5~3mm皆可。分别用于φ4、φ3、φ2基片的曝光。基片厚度0.1~1mm都可以。

C-31型 双面国产光刻机主要用途

 主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。

 由于本机找平机构先进，找平力小、使本机适合硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片、宝石片等的曝光。

C-31型 双面国产光刻机主要性能指标

1、有三种版夹盘供选择，能真空吸附5"×5"或4"×4"方形掩版（2.5"×2.5"），版的厚度无特殊要求1.5~3mm皆可。分别用于φ4、φ3、φ2基片的曝光。基片厚度0.1~1mm都可以。

2、曝光

(1)光源采用GCQ350型超高压球形汞灯。

(2)照明范围：≤φ110mm

(3)光的不均匀性：φ100mm范围内≤±4%

(4)可使用的波长：G线、H线、I线的组合。（即3500~5000埃）

(5)成像面照明：使用UV—A型表测量，光照度≤15毫瓦/厘米2左右（采用3650测头测量），光学结构原理为16面反射式多点光源。

3、采用进口时间继电器（该继电器可从0.1秒~999.9秒内任意设定）控制“真空快门"。动作准确可靠。

4、该机为双面接触式曝光机，该机特制的翻版机构，能消除基片楔形误差，保证上下二块掩膜版对基片上下两面良好的接触，从而保证基片上下两面的曝光质量。

5、分辨率估量：如果用户的“版"、“片"精度符合国家规定、环境、温度、湿度以及房间净化得到严格控制，采用进口“正性"光刻胶，且匀胶厚度和均匀度也得到严格控制的话，本机曝光最小分辨可达0.002mm，建议使用在≥0.003mm以上。

6、对准：

    A、 两个单视场变倍显微镜加二个CCD摄像机加14"显示器。

    1）二个单视场变倍显微镜的变倍范围0.7X~4.5X.

    2）二个CCD摄像头：平面对角线尺为1/3"。

    3）采用19"液晶显示器，总放大倍数为0.7×42~4.5×42=30倍~189倍。

    B、对准台

   首先真空吸附下掩版（注意掩版四个边，平行于真空吸下掩版的装置四个边），然后将上掩版放在下掩版上，转动曝光头位置，使两个单视场显微镜对准上掩版，调好左右两个显微镜的焦距，从监视屏上看清两个像。调整下掩版X、Y和Q转动，使上掩版上的图像或标记线，显视到显示器屏的左右分开的中间位置，然后真空吸附上掩版。上掩版一旦吸附后，再也不能移动。通过下掩版进行X、Y和Q移动后，实现上下掩版的对准工作。

 上下掩版的对准精度≤±0.001mm。

 该机的主要优点是，有一个上掩版相对于下掩版的翻转机构，该机构翻转角度≥90º，甚至可达180º，不仅便于上下基片，而且能保证上下掩版对应基片上下面的良好接触。（能补偿基片的楔形误差），又能保证上下掩版对准了的图形重合到原来位置，其误差≤5μm。

 这一点很重要，也就是说上下掩版对准后，不管怎么翻动，怎样上下基片，上下掩版的图形仍然是对准的！这对大批量生产的厂家来说很重要，只要上下掩版对准后，你就可以不断地对基片进行双面曝光，曝若干片以后，你如果想观察上下掩版是否仍然对准的，你只要转动曝光头，使显微镜对准版，你就能在显示器上看见，两个版的对准情况。

X、Y调整范围±4mm

Q转角≤±5º

7、设备所需能源：

主机电源220V   50HZ   功耗≤1.5KW

配有一台真空泵，真空泵电源220V

8、尺寸和重量：

尺寸：700（长）×700（宽）×960（高）

重量≤100kg

机体放在专用工作台上

工作台  750（长）×720（宽）×640（高）  高度可调范围0~30mm

重量70kg (工作台后侧装有电气部分)

总重量≤170kg

9、双面对准曝光机的组成

    A、 主机

    1）主机（含机体和工作台）

  2）机体上安装二台单视场可变倍数显微镜，二台CCD摄像头，一台19"显示器，一套很有特色的上下翻版装置，二个16面反射镜式多点光源曝光头。

    B、 附件：（用户提出后，可配以下附件）

    1）3"上下掩版吸版装置

    2）3"上下翻板装置

    3）一个350瓦高压球形汞灯

    4）真空泵一台

    5）Ø8（外径）高压用塑料管15m（用于真空管）一根